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Hunan Jingtan Automation Equipment Co., LTD.
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Equipamento de deposição de fornos CVD para preparação de material semicondutor de película fina

Detalhes do produto

Marca: Jingtan

Certificação: CE

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 1 conjunto

Preço: USD12,000-100,000/SET

Detalhes da embalagem: Embalagem de caixas de madeira

Tempo de entrega: 60 dias

Termos de pagamento: L/C/T/t

Habilidade da fonte: 30 partes/partes por Quarto

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Especificações
Destacar:

Equipamento de deposição para materiais semicondutores

,

Forno CVD para material semicondutor

Local de origem:
Hunan, China
Tipo:
fornalha de indução
Utilização:
Forno de deposição
Inspecção de saída por vídeo:
Fornecido
Relatório de ensaio da máquina:
Fornecido
Componentes essenciais:
PLC
brand name:
Jingtan
Voltagem:
380
Peso (T):
2 T
Potência (kW):
220
Principais pontos de venda:
Preço competitivo
Temperatura de projeto (°C):
1250-2200
Temperatura preocupante:
900-1200°C
Taxa de aumento da pressão (Pa/h):
0.67Pa/h ((150Pa/24h)
Método de aquecimento:
resistência/indução
Ambiente de trabalho:
vácuo/CH4/C3H6/H2/N2/Ar
Tipo de forno:
Quadrado/redondoVertical/Horizontal
Modo de arrefecimento do forno:
refrigeração por água da casca do forno
Instrumento infravermelho:
mono/dobro colorimétrico
Temperatura uniformidade:
± 5
Grau de vácuo limite ((Pa):
1-100
Tipo de comercialização:
Produto ordinário
Garantia dos componentes principais:
1 ano
Indústrias aplicáveis:
Outros, semicondutores
Local de origem:
Hunan, China
Tipo:
fornalha de indução
Utilização:
Forno de deposição
Inspecção de saída por vídeo:
Fornecido
Relatório de ensaio da máquina:
Fornecido
Componentes essenciais:
PLC
brand name:
Jingtan
Voltagem:
380
Peso (T):
2 T
Potência (kW):
220
Principais pontos de venda:
Preço competitivo
Temperatura de projeto (°C):
1250-2200
Temperatura preocupante:
900-1200°C
Taxa de aumento da pressão (Pa/h):
0.67Pa/h ((150Pa/24h)
Método de aquecimento:
resistência/indução
Ambiente de trabalho:
vácuo/CH4/C3H6/H2/N2/Ar
Tipo de forno:
Quadrado/redondoVertical/Horizontal
Modo de arrefecimento do forno:
refrigeração por água da casca do forno
Instrumento infravermelho:
mono/dobro colorimétrico
Temperatura uniformidade:
± 5
Grau de vácuo limite ((Pa):
1-100
Tipo de comercialização:
Produto ordinário
Garantia dos componentes principais:
1 ano
Indústrias aplicáveis:
Outros, semicondutores
Descrição
Equipamento de deposição de fornos CVD para preparação de material semicondutor de película fina
Especificações:
Fornos de deposição a vácuo:
Utilizado principalmente para a preparação de materiais compostos carbono-carbono e o forno de deposição é utilizado principalmente para a preparação de revestimento pirolítico de carbono na superfície de grafite,Dispositivos semicondutores e materiais de limpeza resistentes ao calor.
Parâmetro/Número de modelo
JT-0305-C
JT-0505-C
JT-0608-C
JT-0608-C
JT-0812-C
JT-1120-C
JT-1218-C
JT-1520-C
Tamanho da zona de trabalho
φ×H(mm)
300×500
500×500
600 × 800
600×1200
800×1200
1100×2000
1200×1800
1500×2000
Temperatura máxima
(°C)
2300
2300
2300
2300
2300
2300
2300
2300
Uniformidade de temperatura ((°C)
± 5
± 5
± 5/± 7.5
±7,5/±10
±7,5/±10
±10/±15
±10/±15
± 15 / ± 20
Grau de vácuo limite ((Pa)
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
Grau de vácuo limite ((Pa)
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
Método de aquecimento
Resistência/indução
Resistência/indução
Resistência/indução
Resistência/indução
Resistência/indução
Resistência/indução
Resistência/indução
Resistência/indução
Equipamento de deposição de fornos CVD para preparação de material semicondutor de película fina 0
Temperatura de projeto
1250°C/1650°C/1800°C/2200°C
Temperatura comum
900~1200°C
Grau de vácuo
< 50 Pa
Taxa de aumento da pressão
6.67pA/h (ou 150Pa/24h) no estado frio do forno vazio
Modo de aquecimento
aquecimento por resistência ao grafite ou aquecimento por indução, controlo independente da temperatura, boa uniformidade da temperatura
Meio atmosférico
vácuo /CH4/C3H6/H2/N2/Ar
Equipamento de deposição de fornos CVD para preparação de material semicondutor de película fina 1
Modo de controlo do gás
Controle do medidor de caudal de massa, caminho de gás multicanal, campo de caudal uniforme, sem ângulo morto de deposição, bom efeito de deposição;Sistema de tratamento de gases de escape de vários estágios e eficiente, ecológico,fácil de limpar
Tipo de forno
estrutura quadrada, redonda, vertical ou horizontal (concepção não padrão), câmara de deposição totalmente fechada, bom efeito de vedação,
Forte capacidade antipolução;
Modo de arrefecimento do forno
sistema de refrigeração rápida de circulação externa pode ser selecionado, curto tempo de refrigeração, alta produção
eficiência;
Equipamento de deposição de fornos CVD para preparação de material semicondutor de película fina 2
Forma da estrutura
descarga horizontal - lateral, vertical - de cima para baixo
Modo de bloqueio
Manual/automático
Material de concha
aço inoxidável interno/todo o aço inoxidável
Material de isolamento
Filtro de carbono/filtro de grafite/filtro curado de fibras de carbono
Instrumento infravermelho
Colourimetria única/colourimetria dupla
Fornecimento de energia
KGPS/IGBT ((apenas adequado para aquecimento de média frequência)
Parâmetro do produto:
 
 
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