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Hunan Jingtan Automation Equipment Co., LTD.
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Novas células solares semicondutoras e fornos de indução fotovoltaicos PLC Componentes principais para sinterização por tratamento térmico

Detalhes do produto

Marca: Jingtan

Certificação: CE

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 1 conjunto

Preço: USD8,000-60,000/SET

Detalhes da embalagem: caixa de madeira

Tempo de entrega: 60 dias

Termos de pagamento: L/C/T/t

Habilidade da fonte: 5PCS/Mês

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Especificações
Destacar:
Local de origem:
Hunan, China
Tipo:
fornalha de indução
Utilização:
Forno de sinterização
Inspecção de saída por vídeo:
Fornecido
Relatório de ensaio da máquina:
Fornecido
Componentes essenciais:
PLC
brand name:
OEM
Voltagem:
380
Peso (T):
10 T
Potência (kW):
100
Garantia:
1 ano
Principais pontos de venda:
Fabricação flexível
Temperatura máxima:
1800℃
Aplicação:
Material composto C/C,matriz cerâmica composta
Condição:
novo
Garantia dos componentes principais:
1 ano
Localização da sala de exposição:
Egito, Itália, Vietname, Filipinas, Tailândia
Tipo de comercialização:
Produto quente
Indústrias aplicáveis:
Investigação científica, Investigação em novos materiais
Local de origem:
Hunan, China
Tipo:
fornalha de indução
Utilização:
Forno de sinterização
Inspecção de saída por vídeo:
Fornecido
Relatório de ensaio da máquina:
Fornecido
Componentes essenciais:
PLC
brand name:
OEM
Voltagem:
380
Peso (T):
10 T
Potência (kW):
100
Garantia:
1 ano
Principais pontos de venda:
Fabricação flexível
Temperatura máxima:
1800℃
Aplicação:
Material composto C/C,matriz cerâmica composta
Condição:
novo
Garantia dos componentes principais:
1 ano
Localização da sala de exposição:
Egito, Itália, Vietname, Filipinas, Tailândia
Tipo de comercialização:
Produto quente
Indústrias aplicáveis:
Investigação científica, Investigação em novos materiais
Descrição
Novas células solares semicondutoras e fornos de indução fotovoltaicos PLC Componentes principais para sinterização por tratamento térmico
Especificações
 
 
 
Utilização:
O forno de penetração de silício é utilizado principalmente para ceramização por penetração de silício na fase líquida de compósitos carbono-carbono e compósitos de matriz cerâmica.O processo é usado principalmente para induzir a difusão entre partículas de pó adicionando uma fase fundida ou líquida para obter sinterização e ligação das partículasTem uma vasta gama de aplicações nos campos dos metais, cerâmica e compósitos.
Novas células solares semicondutoras e fornos de indução fotovoltaicos PLC Componentes principais para sinterização por tratamento térmico 0
Processamento:
High-temperature silicone penetration furnace makes silicon form a silicide film on the metal surface by contacting the liquid containing silicon element with the surface of the metal material at high temperatureDurante o processo de penetração do silício, o elemento de silício irá difundir-se do penetrante para a superfície do material metálico através da difusão.e depois combinar com os átomos de metal para formar um silicetoEsta película de siliceto melhora a dureza da superfície, a resistência ao desgaste e a resistência à corrosão do material metálico.
Novas células solares semicondutoras e fornos de indução fotovoltaicos PLC Componentes principais para sinterização por tratamento térmico 1
Características:
A forma estrutural é horizontal - porta única / porta dupla; vertical - descarga superior / descarga inferior.Corpo de aquecimento do tubo de carbono de grafito da câmara do forno, camada de isolamento, medição de temperatura, termopares de monitorização e outros componentes.que é conveniente para descarregar e carregarModo de operação PLC mais touch screen, com função de alarme, programa de alta automação, seguro e confiável.
Modelo
SGL-0690
 
SGL-1015
SGL-1220
SGL-1530
SGL-0610
SGL-1120
 
SGL-1320
 
SGL-1520
Volume de trabalho ((mm)
600*600*900
1000*1000*1500
1200*1200*2000
1500*1500*3000
600*1000
1100*2000
1300*2000
1500*2000
Temperatura máxima°C)
1800
1800
1800
1800
1800
1800
1800
1800
Uniformidade de temperatura ((°C)
± 5
± 7.5
± 10
± 15
±7,5/±10
±10/±15
±10/±15
± 15 / ± 20
Vazio definitivo ((Pa)
50
50
50
50
50
50
50
50
A taxa de aumento da pressão ((Pa/h)
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
Método de aquecimento
resistência
resistência
resistência
resistência
resistência/indução
resistência/indução
resistência/indução
resistência/indução
Atmosfera de processamento
vácuo/nitrogénio/hidrogénio
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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